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砷化鎵(GaAs)霍爾元件信號調(diào)理芯片JHM9000

JHM9000是一款為砷化鎵(GaAs)霍爾元件設(shè)計的信號調(diào)理芯片,可實現(xiàn)比例電壓輸出的線性霍爾傳感器的功能。?

JHM9000是一款為砷化鎵(GaAs)霍爾元件設(shè)計的信號調(diào)理芯片,可實現(xiàn)比例電壓輸出的線性霍爾傳感器的功能。

 

JHM9000可以對砷化鎵霍爾元件的靈敏度和靜態(tài)電壓進行精確的調(diào)整,并進行最高二階的溫度補償,使其具有出色的全溫區(qū)(-40°C ~ 125°C)溫度穩(wěn)定性。芯片內(nèi)部的高帶寬通信通路設(shè)計確保了對磁場變化的快速響應(yīng),響應(yīng)時間低至1.5μs。 


用戶通過單線接口(OWI)對內(nèi)部的可編程存儲器(MTP)進行編程以完成對霍爾元件信號的調(diào)整,最多支持4次編程操作。單線接口與比例電壓輸出復(fù)用同一管腳,使封裝后的傳感器可使用簡單的3腳封裝完成校準(zhǔn)。 

JHM9000使用5V單電源電壓并支持高達(dá)40V的過壓保護。


關(guān)鍵特性:


  • 模擬比例電壓輸出 

  • 工作環(huán)境溫度范圍(-40°C ~ 125°C)  

  • 用戶可編程的靈敏度和靜態(tài)電壓及其溫漂補償 

  • 提供裸片和SOP8封裝片

  • 內(nèi)部MTP支持4次編程 

  • 僅使用單線接口完成用戶編程 

  • 接霍爾元件后對磁場響應(yīng)時間達(dá)1.5μs 

  • 支持3腳封裝校準(zhǔn) 


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在校準(zhǔn)時SIO 需要3.3k 的上拉電阻用于OWI 通信協(xié)議,在校準(zhǔn)完成后可去掉上拉電阻。SIO 引腳上的負(fù)載電容推薦為100pF, 信號帶寬為200kHz??筛鶕?jù)所需要信號帶寬調(diào)整負(fù)載電容容值。

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